CY7C1518AV18-250BZC、GS8662T18BGD-250、CY7C1518KV18-250BZXC对比区别

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型号 CY7C1518AV18-250BZC GS8662T18BGD-250 CY7C1518KV18-250BZXC

描述 72兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M72兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 - - 18

存取时间(Max) - - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V

高度 0.89 mm - 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - 无铅