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JAN1N5518CUR-1、JANTXV1N5518CUR-1、JANTX1N5518CUR-1TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5518CUR-1 JANTXV1N5518CUR-1 JANTX1N5518CUR-1TR

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 DO-213AA DO-213AA DO-213AA

容差 ±2 % ±2 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

稳压值 3.3 V 3.3 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

封装 DO-213AA DO-213AA DO-213AA

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 -