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1N6153US、JANTXV1N6153US、JANS1N6153US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6153US JANTXV1N6153US JANS1N6153US

描述 Transient Voltage SuppressorTvs Diode 22.8vwm 43.68vc CpkgTrans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 二极管

基础参数对比

封装 C-MELF SQ-MELF -

安装方式 - Surface Mount -

封装 C-MELF SQ-MELF -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

脉冲峰值功率 - 1500 W -

最小反向击穿电压 - 27.08 V -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

RoHS标准 - -

含铅标准 - -