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M95640-WMN6P、M95640-WMN6TP、25LC640-I/SN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M95640-WMN6P M95640-WMN6TP 25LC640-I/SN

描述 STMICROELECTRONICS  M95640-WMN6P  EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8位, 10 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚STMICROELECTRONICS  M95640-WMN6TP  EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8位, 20 MHz, 串行SPI, SOIC, 8 引脚MICROCHIP  25LC640-I/SN  EEPROM, AEC-Q100, 64 Kbit, 8K x 8位, 2 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Microchip (微芯)

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 10 MHz 10 MHz 2 MHz

电源电压(DC) 2.50V (min) 2.50V (min) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 2.5V ~ 5.5V - 2.5V ~ 5.5V

供电电流 5 mA 5 mA 5 mA

针脚数 8 8 8

时钟频率 10 MHz 20 MHz 2 MHz

内存容量 8000 B 8000 B 8000 B

存取时间(Max) 40 ns 40 ns 230 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 2.5 V 2.5 V 2.5 V

存取时间 - 40 ns 50 ns

输入电容 - - 7 pF

上升时间 - - 2 μs

下降时间 - - 2 μs

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm -

高度 1.25 mm 1.25 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 8542320051