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BSS138NH6327XTSA2、BSS138NH6433XTMA1、BSS138N H6327对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6433XTMA1 BSS138N H6327

描述 INFINEON  BSS138NH6327XTSA2  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1 VInfineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  BSS138N H6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 3.5 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定功率 0.36 W - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 2.2 Ω 2.2 Ω 3.5 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 360 mW 360 mW 360 mW

阈值电压 1 V 1.4 V 1 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 0.23A 0.23A -

上升时间 3 ns 3 ns 3 ns

输入电容(Ciss) 41pF @25V(Vds) 32pF @25V(Vds) 32pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 360 mW - -

下降时间 8.2 ns 8.2 ns 8.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360mW (Ta) 360 mW 360 mW

通道数 - 1 1

长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 1 mm 1 mm 1.1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99