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JANTX1N5523B-1、JANTXV1N5523B-1、BZX79-C5V1,133对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N5523B-1 JANTXV1N5523B-1 BZX79-C5V1,133

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2ALF 5.1V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) M/A-Com NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 DO-35-2 DO-204AH DO-204AH

容差 ±5 % ±5 % ±5 %

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA 900mV @10mA

耗散功率 500 mW - 500 mW

测试电流 5 mA - 5 mA

稳压值 5.1 V 5.1 V 5.1 V

正向电压(Max) - - 900mV @10mA

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 400 mW

工作温度(Max) 175 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - -

宽度 - - 1.85 mm

封装 DO-35-2 DO-204AH DO-204AH

长度 5.08 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃

温度系数 - - -0.8 MV/K

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -