ISL9V3036S3S、ISL9V3036S3ST、ISL9V3036P3对比区别

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型号 ISL9V3036S3S ISL9V3036S3ST ISL9V3036P3

描述 Trans IGBT Chip N-CH 350V 21A 150000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeEcoSPARKTM 300mJ ， 360V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 300mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBTEcoSPARKTM 300mJ ， 360V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 300mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 360 V 360 V

额定电流 - 21.0 A 21.0 A

耗散功率 150000 mW 150000 mW 150000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 360 V 360 V 360 V

额定功率(Max) 150 W 150 W 150 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 150000 mW 150000 mW 150000 mW

高度 4.83 mm 4.83 mm 9.02 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99