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M29W160ET70ZA6、M29W160ET7AZA6F、M29W160ET70ZA6F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29W160ET70ZA6 M29W160ET7AZA6F M29W160ET70ZA6F

描述 16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash MemoryNOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 2M/1M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA T/RNOR Flash Parallel 3V/3.3V 16M-bit 2M x 8/1M x 16 70ns 48Pin TFBGA T/R

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 - - 48

封装 TFBGA-48 TFBGA-48 TFBGA-48

供电电流 - - 10 mA

位数 - - 8, 16

存取时间(Max) - - 70 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压 - - 2.7V ~ 3.6V

存取时间 70.0 ns - -

内存容量 16000000 B - -

封装 TFBGA-48 TFBGA-48 TFBGA-48

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free