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JAN1N3768、S34100、NTE6002对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N3768 S34100 NTE6002

描述 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier广颖电整流器 Silicon Power RectifierNTE ELECTRONICS  NTE6002  整流桥

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 功率二极管功率二极管功率二极管

基础参数对比

引脚数 2 - 2

封装 DO-5-2 DO-5 DO-5

安装方式 - - Through Hole

正向电压 1.4V @110A - 1.3 V

正向电流 35000 mA - 40 A

正向电流(Max) 35000 mA - 40 A

工作温度(Max) 175 ℃ - 190 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

额定电流 - - 40.0 A

正向电压(Max) - - 1.3 V

封装 DO-5-2 DO-5 DO-5

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tray Bulk Each

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

军工级 Yes - -

重量 - - 13.6 kg

工作温度 - - -65℃ ~ 190℃

HTS代码 - - 85411000800