MAP6KE18AE3、P6KE18A-T、P6KE18AT对比区别

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型号 MAP6KE18AE3 P6KE18A-T P6KE18AT

描述 15.3V 600WTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 15.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PINTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 15.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管

安装方式 Through Hole - -

引脚数 2 - -

封装 T-18 - -

钳位电压 25.2 V - -

最大反向电压（Vrrm） 15.3V - -

测试电流 1 mA - -

脉冲峰值功率 600 W - -

最小反向击穿电压 17.1 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

工作结温 -65℃ ~ 150℃ - -

封装 T-18 - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -