IRF644N、IRF644NPBF对比区别

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型号 IRF644N IRF644NPBF

描述 MOSFET N-CH 250V 14A TO-220ABMOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 150W (Tc) 150W (Tc)

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V

输入电容(Ciss) 1060pF @25V(Vds) 1060pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc)

额定电压(DC) 250 V -

额定电流 14.0 A -

极性 N-Channel -

漏源击穿电压 250 V -

连续漏极电流(Ids) 14.0 A -

上升时间 21.0 ns -

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free