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DTC143TSATP、RN1210、DRC4143T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC143TSATP RN1210 DRC4143T

描述 双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MAMini NPN 50V 100mASilicon NPN epitaxial planar type - For digital circuits - Complementary to DRA4143E

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Toshiba (东芝) Panasonic (松下)

分类 双极性晶体管晶体管

基础参数对比

封装 SC-72-3 Mini -

安装方式 Through Hole - -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 100 mA - -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V - -

最大电流放大倍数(hFE) 600 - -

额定功率(Max) 300 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SC-72-3 Mini -

长度 4 mm - -

宽度 2 mm - -

高度 3 mm - -

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended

包装方式 Tape & Box (TB) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -