APT40N60JCU2、TK39A60W、IXKR40N60对比区别

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型号 APT40N60JCU2 TK39A60W IXKR40N60

描述 ISOTOP升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP Boost chopper Super Junction MOSFET Power ModuleTO-220SIS N-CH 600V 38.8AMOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Toshiba (东芝) IXYS Semiconductor

分类 MOS管

安装方式 Chassis - -

引脚数 4 - -

封装 SOT-227-4 SC-67 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 290000 mW - -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 40A 38.8A -

上升时间 30 ns - -

输入电容(Ciss) 7015pF @25V(Vds) - -

下降时间 10 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 290W (Tc) - -

高度 9.6 mm - -

封装 SOT-227-4 SC-67 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free