IRFS38N20DTRLP、IRFS38N20DTRRP、IRFS38N20DPBF对比区别
型号 IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRRP IRFS38N20DPBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 200V 38ATrans MOSFET N-CH 200V 38A 3Pin(2+Tab) D2PAK
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 44.0 A - 38.0 A
通道数 1 1 1
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 320 W 3.8 W 3.8 W
产品系列 - - IRFS38N20D
输入电容 2900 pF - 2.90 nF
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V - 200 V
连续漏极电流(Ids) 38A 38A 44.0 A
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 3.8 W
阈值电压 5 V 5 V -
上升时间 95 ns 95 ns -
下降时间 47 ns 47 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) -
额定功率 320 W - -
漏源极电阻 0.054 Ω - -
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
长度 10.67 mm 6.5 mm -
宽度 9.65 mm 9.65 mm -
高度 4.83 mm 2.3 mm -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -