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BZV55-B6V8T/R、BZV55-B6V8,115、BZV55-B6V8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-B6V8T/R BZV55-B6V8,115 BZV55-B6V8

描述 DIODE 6.8 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator DiodeNXP  BZV55-B6V8,115  单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °C齐纳二极管 500mW,BZV55 系列,NXP SemiconductorsNXP 500mW 表面安装 (SMT) 齐纳二极管,具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管,NXP Semiconductors

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 2

封装 - SOD-80 SOD-80

稳压值 - 6.8 V 6.8 V

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

容差 - ±2 % -

针脚数 - 2 -

正向电压 - 900mV @10mA -

极性 - NPN -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 5 mA -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

额定电压(DC) 6.80 V - -

额定功率 500 mW - -

高度 - - 3.7 mm

封装 - SOD-80 SOD-80

温度系数 - 3 MV/K 3 mV/℃

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape, Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -