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MPS6513、ZTX457STZ、2N3707对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPS6513 ZTX457STZ 2N3707

描述 Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3Pin TO-92 BulkNPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORTrans GP BJT NPN 30V 0.2A 3Pin TO-92 Box

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-226-3 E-Line-3 TO-226-3

额定电压(DC) 30.0 V 300 V -

额定电流 100 mA 500 mA -

额定功率 - 1 W -

极性 - NPN -

耗散功率 - 1000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 300 V 30 V

集电极最大允许电流 - 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 90 @2mA, 10V 50 @50mA, 10V 100 @1mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 1 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

最大电流放大倍数(hFE) - - 400

封装 TO-226-3 E-Line-3 TO-226-3

宽度 - - 4.19 mm

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Box Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -