MAP6KE18A、MAP6KE18AE3、P6KE18AT对比区别

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型号 MAP6KE18A MAP6KE18AE3 P6KE18AT

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 Transient Voltage Suppressor15.3V 600WTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 15.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 T-18 T-18 -

引脚数 - 2 -

脉冲峰值功率 600 W 600 W -

最小反向击穿电压 17.1 V 17.1 V -

钳位电压 - 25.2 V -

最大反向电压（Vrrm） - 15.3V -

测试电流 - 1 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

工作结温 - -65℃ ~ 150℃ -

封装 T-18 T-18 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -