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IS63LV1024-12KI、IS63LV1024-12KL、K6R1008V1C-JP12对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS63LV1024-12KI IS63LV1024-12KL K6R1008V1C-JP12

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 128K x 8 12ns 32Pin SOJ1Mb, High-Speed, Async, 128K x 8, 12ns, 3.3V, 32Pin SOJ (400 mil), RoHSStandard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Samsung (三星)

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 SOJ SOJ-32 SOJ

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 32 -

封装 SOJ SOJ-32 SOJ

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

供电电流 - 130 mA -

位数 - 8 -

存取时间 - 12 ns -

内存容量 - 1000000 B -

存取时间(Max) - 12 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3 V -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -

ECCN代码 - EAR99 -