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MPLAD30KP85A、MXLPLAD30KP85AE3、MXPLAD30KP85A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPLAD30KP85A MXLPLAD30KP85AE3 MXPLAD30KP85A

描述 TVS DIODE 85VWM 137VC PLADTVS 30kW UNIDIRECT PLADTVS 30kW UNIDIRECT PLAD

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMD SMD SMD

脉冲峰值功率 30000 W 30000 W 30000 W

最小反向击穿电压 94.4 V 94.4 V 94.4 V

封装 SMD SMD SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead