SI4532ADY-T1-E3、SI4532ADY-T1-GE3、SI4532CDY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4532ADY-T1-E3 SI4532ADY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3

描述 N/P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY  SI4532ADY-T1-GE3  场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道VISHAY SILICONIX  SI4532CDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, NP-通道, 30V, 6/-4.3A, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.044 Ω 0.044 Ω 0.038 Ω

耗散功率 2 W 1.13 W 2.78 W

阈值电压 1 V 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) - - 305pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.78 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel -

连续漏极电流(Ids) 4.90 A 3.70 A -

漏源击穿电压 30.0 V - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 1.13 W - -

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.55 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -