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1N6119、JAN1N6119、JANS1N6119对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6119 JAN1N6119 JANS1N6119

描述 双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 B B -

最大反向电压(Vrrm) 27.4V 27.4V -

脉冲峰值功率 500 W 500 W -

最小反向击穿电压 - 32.49 V -

封装 B B -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -