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S1BHE3/61T、S1BHE3_A/H对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 S1BHE3/61T S1BHE3_A/H

描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACDiode Switching 100V 1A Automotive 2Pin SMA T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2

封装 DO-214AC DO-214AC

正向电压 1.1V @1A 1.1V @1A

反向恢复时间 1.8 µs 1.8 ns

正向电流 1 A -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

封装 DO-214AC DO-214AC

长度 4.5 mm -

宽度 2.79 mm -

高度 2.09 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free