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CMLDM8120、CMLDM8120GTR、CMLDM8120BK对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CMLDM8120 CMLDM8120GTR CMLDM8120BK

描述 SOT-563P-CH 20V 0.86ASmall Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PICOMINI-6Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

封装 SOT-563 - -

极性 P-CH - -

漏源极电压(Vds) 20 V - -

连续漏极电流(Ids) 0.86A - -

封装 SOT-563 - -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

香港进出口证 NLR - -