BSZ100N03LSG、SI5480DU-T1-GE3对比区别
型号 BSZ100N03LSG SI5480DU-T1-GE3
描述 IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 -
封装 S3O8 -
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 30.0 W 3.1W (Ta), 31W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 1100pF @15V(Vds) 1230pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 30 W -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 30 W 3.1W (Ta), 31W (Tc)
连续漏极电流(Ids) - 12.0 A
长度 3.4 mm -
宽度 3.4 mm -
高度 1.1 mm -
封装 S3O8 -
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)