BUZ32、BUZ73、IRF630NPBF对比区别

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型号 BUZ32 BUZ73 IRF630NPBF

描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorINFINEON  IRF630NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - - 82 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.3 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 75000 mW 40W (Tc) 82 W

阈值电压 - - 4 V

输入电容 530 pF - 575 pF

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 - - 200 V

连续漏极电流(Ids) 9.50 A 7.00 A 9.3A

上升时间 40 ns 40.0 ns 14 ns

热阻 - - 1.83℃/W (RθJC)

输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 530pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 75 W - 82 W

下降时间 30 ns - 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 75W (Tc) 40W (Tc) 82W (Tc)

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 9.50 A 7.00 A -

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17