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BCP51-10TA、BC51-10PA,115、BCP51对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP51-10TA BC51-10PA,115 BCP51

描述 1A, 45V, PNP, Si, POWER TRANSISTORHUSON PNP 45V 1APNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 SOT-223 UDFN-3 SOT-223

引脚数 4 - -

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V -

集电极最大允许电流 - 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 63 @150mA, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) - 160 -

额定功率(Max) - 420 mW -

耗散功率(Max) 2000 mW - -

封装 SOT-223 UDFN-3 SOT-223

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -