IRF630PBF、IRFB4020PBF、IRF630B_FP001对比区别

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型号 IRF630PBF IRFB4020PBF IRF630B_FP001

描述 功率MOSFET Power MOSFETINFINEON  IRFB4020PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 4.9 V集成电路

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

通道数 - - 1

漏源极电阻 400 mΩ 0.1 Ω 400 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 74 W 100 W 72 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 - - 200 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 18A 9A

上升时间 28 ns 12 ns 70 ns

输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 1200pF @50V(Vds) 720pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 74 W 100 W 72 W

下降时间 20 ns 6.3 ns 65 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 74 W 100W (Tc) 72W (Tc)

额定功率 74 W 100 W -

针脚数 3 3 -

阈值电压 4 V 4.9 V -

输入电容 - 1200 pF -

长度 10.41 mm 10.66 mm 10.67 mm

宽度 4.7 mm 4.82 mm 4.7 mm

高度 9.01 mm 9.02 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99