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TLP2200、TLP558、HCPL-2219对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLP2200 TLP558 HCPL-2219

描述 TOSHIBA  TLP2200  光耦合器, 施密特触发器Isolated Bus Driver High Speed Line Receiver Microprocessor System Interfaces MOS FET Gate Driver Transistor InverterOPTOCOUPLER 1CH 2.5MBd 8-DIP

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝) AVAGO Technologies (安华高科)

分类 光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

输入电压(DC) 1.55 V 1.55 V 1.50 V

输出电压 20 V - -

电路数 1 1 -

通道数 1 1 1

针脚数 8 - -

正向电压 1.55 V - -

输入电流 5 mA - -

耗散功率 210 mW - 210 mW

数据速率 5.00 Mbps 5.00 Mbps 5.00 Mbps

上升时间 0.035 µs 35.0 ns 30.0 ns

隔离电压 2.5 kV 2500 Vrms 3750 Vrms

正向电压(Max) 1.7 V - 1.7 V

正向电流(Max) 10 mA - 10 mA

下降时间 0.02 µs - 0.015 µs

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) 210 mW - 210 mW

下降时间(Max) - - 15 ns

上升时间(Max) - - 55 ns

高度 3.65 mm - -

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Active

包装方式 Each Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -