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APT20M18B2VFR、APT20M18B2VFRG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT20M18B2VFR APT20M18B2VFRG

描述 POWER MOS V 200V 100A 0.018ΩT-MAX N-CH 200V 100A

数据手册 --

制造商 Advanced Power Technology Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 - T-MAX

额定电压(DC) - 200 V

额定电流 - 100 A

极性 - N-CH

耗散功率 - 625 W

输入电容 - 9.88 nF

栅电荷 - 330 nC

漏源极电压(Vds) - 200 V

连续漏极电流(Ids) - 100 A

上升时间 - 27 ns

输入电容(Ciss) - 9880pF @25V(Vds)

下降时间 - 6 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 625000 mW

封装 - T-MAX

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free