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AP6679GH-HF、SUD45P03-10-E3、STD30PF03L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AP6679GH-HF SUD45P03-10-E3 STD30PF03L

描述 P沟 -30V -75AMosfet p-Ch 30V 15A 3Pin(2+Tab) DpakP沟道30V - 0.025ohm - 24A DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 Advanced Power Electronics (富鼎先进电子) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

极性 - P-Channel P-CH

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 25.0 A, -15.0 A 24A

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 4W (Ta), 70W (Tc) 70000 mW

漏源极电阻 - 10 mΩ -

耗散功率 - 4 W -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

输入电容(Ciss) - 6000pF @25V(Vds) -

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.2 mm

高度 - - 2.4 mm

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

香港进出口证 NLR - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -