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FDP040N06、FDP2710_F085、FCP7N60N对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP040N06 FDP2710_F085 FCP7N60N

描述 N沟道MOSFET的PowerTrench 60V , 168A , 4.0mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 168A, 4.0mΩN沟道 250V 4A 50APower Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 231W (Tc) 260 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 250 V -

连续漏极电流(Ids) 168A 50A -

输入电容(Ciss) 8235pF @25V(Vds) 5690pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 231W (Tc) 403W (Tc) -

额定功率(Max) 231 W - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -