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IRGP50B60PD1-EP、IXGH48N60C3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGP50B60PD1-EP IXGH48N60C3

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) TO-247AD600V 48A G-系列 A3 B3 C3 TO-247

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 - 300000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V

额定功率(Max) - 300 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300000 mW

产品系列 IRGP50B60PD1-E -

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99