MMFT1N10ET3、STN1NF10、MMFT1N10ET1对比区别

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型号 MMFT1N10ET3 STN1NF10 MMFT1N10ET1

描述 SOT-223 N-CH 100V 1ASTMICROELECTRONICS  STN1NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V中等功率场效应晶体管N沟道增强模式硅栅TMOS E-FET？SOT-223表面贴装这种先进的E-FET是一个TMOS中等功率MOSFET设计能够承受高能量的雪崩和减刑模式。这种新型高效节能设备，还提供了一个漏 - 源二..

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 4

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 1.00 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.7 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 2.5 W -

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 1A 500 mA -

上升时间 - 5.5 ns 15 ns

输入电容(Ciss) - 105pF @25V(Vds) 410pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 - 6.5 ns 32 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Tc) 800 mW

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.6 mm -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -