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MT48H32M16LFB4-6 IT:C、MT48H32M16LFB4-75 IT:C、MT48H32M16LFB4-75B IT:C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT48H32M16LFB4-6 IT:C MT48H32M16LFB4-75 IT:C MT48H32M16LFB4-75B IT:C

描述 DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 54Pin VFBGADRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 54Pin VFBGADRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 54Pin VFBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 54 54 54

封装 VFBGA-54 VFBGA-54 VFBGA-54

工作电压 1.80 V 1.80 V -

位数 16 16 16

存取时间(Max) 5ns, 8ns 8ns, 5.4ns 8ns, 5.4ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

供电电流 100 mA - -

存取时间 5 ns - -

高度 - 0.65 mm 0.65 mm

封装 VFBGA-54 VFBGA-54 VFBGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 - -