AM1214-300、RX1214B300Y,114、AM1214-250对比区别

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型号 AM1214-300 RX1214B300Y,114 AM1214-250

描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, 0.4INCH, FM-2Trans RF BJT NPN 60V 21A 3Pin(3+Tab) SOT-439A Blister射频功率晶体管L波段雷达应用 RF POWER TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS

数据手册 ---

制造商 Advanced Semiconductor NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - SOT-439 M259

耗散功率 - 570000 mW 786000 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃ -

长度 - 12.85 mm -

宽度 - 10.2 mm -

高度 - 6 mm -

封装 - SOT-439 M259

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 - Tray Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -