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IXFV20N80P、IXFV20N80PS、IXFH20N80P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFV20N80P IXFV20N80PS IXFH20N80P

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-220-3 PLUS-220SMD TO-247-3

通道数 1 - 1

耗散功率 500 W 500W (Tc) 500 W

阈值电压 - - 5 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

输入电容(Ciss) 4685pF @25V(Vds) 4685pF @25V(Vds) 4685pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc)

漏源极电阻 520 mΩ - -

漏源击穿电压 800 V - -

上升时间 24 ns - -

下降时间 24 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

宽度 4.7 mm - 5.3 mm

封装 TO-220-3 PLUS-220SMD TO-247-3

长度 11 mm - -

高度 15 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free