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MGA-635P8-TR1G、MML20211HT1、MGA-635P8-BLKG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MGA-635P8-TR1G MML20211HT1 MGA-635P8-BLKG

描述 RF Amp Chip Single GP 4GHz 5.5V 8Pin QFN EP T/R射频放大器, 增强模式pHEMT, 1400MHz至2800MHz, 18.6db增益, 0.85dB噪声, 5V, HVSON-8射频放大器 Low Noise LNA Active Bias LNA

数据手册 ---

制造商 AVAGO Technologies (安华高科) NXP (恩智浦) AVAGO Technologies (安华高科)

分类 放大器IC与RF模块放大器IC与RF模块放大器IC与RF模块

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 QFN DFN-8 QFN-8

引脚数 - 8 8

耗散功率 500 mW - 500 mW

耗散功率(Max) 500 mW - -

频率 - 1.4GHz ~ 2.8GHz 2.3GHz ~ 4GHz

供电电流 - 60 mA 56 mA

增益 - 18.6 dB 18 dB

测试频率 - 2.14 GHz 2.5 GHz

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压 - 5 V 5 V

电源电压(Max) - 5 V 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 8 -

封装 QFN DFN-8 QFN-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free