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CY14MB064J2-SXIT、23K640-I/SN、23K640T-I/ST对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14MB064J2-SXIT 23K640-I/SN 23K640T-I/ST

描述 64千位(为8K ×8 )串行( I2C )的nvSRAM非易失性存储/调用 64-Kbit (8 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM Nonvolatile STORE/RECALLMICROCHIP  23K640-I/SN  芯片, SRAM, 串口, 64K, 2.7V, SOIC864K SPI总线的低功耗串行SRAM 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 TSSOP-8

耗散功率 1 W - -

存取时间(Max) 900 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1 W - -

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

频率 - 20 MHz -

电源电压(DC) - 2.70V (min) -

工作电压 - 2.7V ~ 3.6V -

针脚数 - 8 -

时钟频率 - 20 MHz -

位数 - 8 8

内存容量 - 8000 B -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 TSSOP-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.25 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99