锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BSM100GB170DLC、FF150R17KE4、BSM200GB170DL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM100GB170DLC FF150R17KE4 BSM200GB170DL

描述 Trans IGBT Module N-CH 1700V 200A 960000mW 7Pin 62MM TrayINFINEON  FF150R17KE4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 250 A, 1.95 V, 1.1 kW, 1.7 kV, ModuleInsulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel,

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Eupec

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw -

封装 62MM 62MM-1 -

引脚数 - 7 -

封装 62MM 62MM-1 -

产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

额定功率 - 1100 W -

针脚数 - 7 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 1.1 kW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -