APT10035JFLL、APT10043JVR、IXTN21N100对比区别
型号 APT10035JFLL APT10043JVR IXTN21N100
描述 SOT-227 N-CH 1000V 25A功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.SOT-227B N-CH 1000V 21A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Screw
引脚数 4 - 3
封装 SOT-227 SOT-227 SOT-227-4
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV
额定电流 28.0 A 23.0 A 21.0 A
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 520000 mW - 520W (Tc)
输入电容 5.18 nF 9.00 nF -
栅电荷 186 nC 480 nC -
漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1.00 kV 1000 V
连续漏极电流(Ids) 25.0 A 22.0 A 21.0 A
上升时间 10 ns - 50.0 ns
输入电容(Ciss) 5185pF @25V(Vds) - 8400pF @25V(Vds)
下降时间 9 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 520000 mW - 520W (Tc)
额定功率 - - 520 W
额定功率(Max) - - 520 W
封装 SOT-227 SOT-227 SOT-227-4
产品生命周期 Active Not Recommended Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)