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AT49F002N-70JC、SST39SF020A-70-4C-NHE、AM29F002BB-70JI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AT49F002N-70JC SST39SF020A-70-4C-NHE AM29F002BB-70JI

描述 NOR Flash Parallel 5V 2M-bit 256K x 8 70ns 32Pin PLCCSST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环(典型) 低功耗 - 有源电流 10 mA,待机电流 30 μA(14 MHz 时的典型值) 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间:70 ms(典型) 字节编程时间 - 14 μs(典型) 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒(典型值) 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存,MicrochipNOR Flash Parallel 5V 2M-bit 256K x 8 70ns 32Pin PLCC

数据手册 ---

制造商 ATMEL (爱特美尔) Microchip (微芯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 32 32 32

封装 LCC-32 PLCC-32 PLCC

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 4.50V (min) -

位数 - 8 8

存取时间 70.0 ns 70 ns -

内存容量 2000000 B 250000 B -

存取时间(Max) - 70 ns 70 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

时钟频率 70.0 GHz - -

供电电流 - - 30 mA

长度 - 14.05 mm -

宽度 - 11.51 mm -

高度 - 2.84 mm -

封装 LCC-32 PLCC-32 PLCC

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - 3A991.b.1.a EAR99