FD150R12RT4、GP200MLS12、FD200R12KE3对比区别

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型号 FD150R12RT4 GP200MLS12 FD200R12KE3

描述 INFINEON  FD150R12RT4  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kVIGBT Chopper Module Preliminary Information62毫米C系列模块，带沟槽/场终止IGBT3和EMCON高效率二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Dynex Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Screw - Screw

引脚数 5 - 5

封装 - - 62MM-1

额定功率 790 W - 1040 W

针脚数 5 - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 790 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -

输入电容(Cies) 9.3nF @25V - -

额定功率(Max) 790 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

长度 - - 106.4 mm

宽度 - - 61.4 mm

高度 - - 30.9 mm

封装 - - 62MM-1

工作温度 -40℃ ~ 150℃ - -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -