IS61QDB21M36-250M3、IS61QDB21M36-250M3L、CY7C14141KV18-250BZXC对比区别

高亮显示差异参数

型号 IS61QDB21M36-250M3 IS61QDB21M36-250M3L CY7C14141KV18-250BZXC

描述 静态随机存取存储器 36Mb 1Mbx36 QUAD Sync 静态随机存取存储器DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165Pin FBGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 165 165 165

封装 BGA-165 FBGA-165 LBGA-165

电源电压(DC) 1.80 V, 1.89 V (max) 1.80 V, 1.89 V (max) -

时钟频率 250MHz (max) 250MHz (max) -

位数 36 36 -

存取时间 4 ns - -

内存容量 36000000 B 36000000 B -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.71V ~ 1.89V 1.71V ~ 1.89V 1.7V ~ 1.9V

封装 BGA-165 FBGA-165 LBGA-165

高度 - - 0.89 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -