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IS42S32200E-6BLI-TR、IS42S32200L-6BLI-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32200E-6BLI-TR IS42S32200L-6BLI-TR

描述 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&RDRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

引脚数 - 90

存取时间 5.50 ns 5.4 ns

内存容量 8000000 B -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

位数 - 32

存取时间(Max) - 8ns, 5.4ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 -