FQB4N20TM、PHD9NQ20T、BSP297L6327对比区别

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型号 FQB4N20TM PHD9NQ20T BSP297L6327

描述 N沟道 200V 3.6AN-channel TrenchMOS™ transistorMosfet n-Ch 200V 660mA Sot-223 - Bsp297 L6327

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Philips (飞利浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-263-3 - TO-261

额定电压(DC) 200 V - 200 V

额定电流 3.60 A - 660 mA

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 3.13W (Ta), 45W (Tc) - 1.50 W

输入电容 - - 45.0 pF

栅电荷 - - 1.50 nC

漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V

连续漏极电流(Ids) 3.60 A - 200 mA

输入电容(Ciss) 220pF @25V(Vds) - 357pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.13 W - 1.8 W

漏源极电阻 1.40 Ω - -

漏源击穿电压 200 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 45W (Tc) - -

封装 TO-263-3 - TO-261

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -