BUZ205、STP7NB40对比区别

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型号 BUZ205 STP7NB40

描述 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET)N - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

数据手册 --

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 - TO-220-3

通道数 - 1

漏源极电阻 - 750 mΩ

极性 - N-Channel

耗散功率 - 100 W

漏源击穿电压 - 400 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 7.00 A

上升时间 - 7.5 ns

下降时间 - 9 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃

长度 - 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm

高度 - 9.15 mm

封装 - TO-220-3

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 - Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant