AO4435、IRF7416PBF、FDS6681Z对比区别

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型号 AO4435 IRF7416PBF FDS6681Z

描述 二极管与整流器-30V,-10A,P沟道功率MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6681Z  晶体管, MOSFET, P沟道, 20 A, -30 V, 0.0038 ohm, -10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - -30.0 V -30.0 V

额定电流 - -10.0 A -20.0 A

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - 0.035 Ω 0.0038 Ω

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 3.1 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - - 1.8 V

输入电容 - - 7.54 nF

栅电荷 - - 185 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.5A -10.0 A -20.0 A

上升时间 8.5 ns 49.0 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 1400pF @15V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 7540pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 2.5 W 1 W

下降时间 7 ns - 380 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta) - 2.5W (Ta)

产品系列 - IRF7416 -

漏源击穿电压 - -30.0 V -

额定功率 2 W - -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99