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C0805C102K1RAC7867、C0805C102K1RALTU、CL21B102KCANNNC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 C0805C102K1RAC7867 C0805C102K1RALTU CL21B102KCANNNC

描述 Cap Ceramic 0.001uF 100V X7R 10% SMD 0805 125℃Cap Ceramic 0.001uF 100V X7R 10% SMD 0805 125Samsung 0805 X7R/Y5V MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

数据手册 ---

制造商 KEMET Corporation (基美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-7 DO-204AH

引脚数 2 2 -

容差 - - ±5 %

稳压值 6.4 V 6.4 V 6.4 V

额定功率(Max) - - 500 mW

测试电流 2 mA 2 mA -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率 - 500 mW -

封装 DO-35 DO-7 DO-204AH

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -