STGW40H60DLFB、STGW45NC60VD对比区别
描述 IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 270000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 283 W 270 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
额定功率(Max) 283 W 270 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 283 W 270000 mW
反向恢复时间 - 45 ns
长度 15.75 mm 16.03 mm
宽度 5.15 mm 5.16 mm
高度 20.15 mm 21.09 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 PB free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99