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1N5281BE3、JAN1N6355、1N5261B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5281BE3 JAN1N6355 1N5261B

描述 Diode Zener Single 200V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35500毫瓦玻璃齐纳二极管 500 mW GLASS ZENER DIODESZener Ddiode 47V 5% 0.5W(1/2W) Do-35 Case

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 齐纳二极管分立器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-35 -

引脚数 2 - -

耗散功率 0.48 W 500 mW -

稳压值 200 V 200 V -

测试电流 0.65 mA - -

封装 DO-35 DO-35 -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - -